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一文解析杂散电感存储的磁场能量

电子设计 ? 2021-02-22 16:01 ? 次阅读

我们都知道电力电子装置中换流回路的杂散电感对器件的开关过程影响非常大,如果前期设计不注意,后期麻烦事会非常多,例如:器件过压高、振荡严重,EMI超标等。为了解决这些问题,还要加各种补救措施,例如:针对器件过压高问题要加吸收电路,针对EMI问题要加滤波装置等等。这些额外增加的器件不但增加了系统成本,工程师还要考虑这些器件的可靠性问题。今天我们就来聊聊杂散电感,也可以称其为寄生电感。

在介绍杂散电感之前,让我们简单的回顾一下什么是电感。对于电感的概念大家应该都比较熟悉了,电感和电容、电阻一起,是电路中最基本的三大无源器件。这里的电感严格来说应该称为电感器(inductor),更强调的是一种器件,电感器是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件。

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图1.电感元件

另外,电感也可以用于衡量器件对抗电流变化的能力,如果对抗电流变化的能力越强,那么电感就越大,反之越小。这里的电感严格来说应该是电感量(inductance),单位为亨(H),一般来说电感元件的电感量在uH级以上。

电感电流不能突变的本质原因是因电流产生的磁场能不能突变,所以有人也称电感是电磁领域的惯性器件,因为惯性器件都不喜欢变化。

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图2.电感磁场能示意图

对电感的概念有了基本了解之后,让我们再来看看杂散电感。杂散电感是指这个电感不是设计时故意设计出来的,是附加或寄生在某些东西上产生的。杂散电感的量级一般是nH级。简单来讲,有导线的地方就有寄生电感,但不同尺寸或形状的导线所携带的寄生电感也是不同的。例如,IGBT??槟诓康募舷呒纳绺幸话愣荚诩父鰊H,而电力电子常用的叠层母线要在几十nH甚至上百nH左右。

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图3杂散电感举例

前面已经提到,电感是靠磁场储存能量的,那寄生电感也会存储一定的能量,电感磁场储能的计算公式为:

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举个例子,对于一个杂散电感为100nH的铜排,当流过100A的电流时,铜排上携带的磁场能量为500uJ。对于这个能量的量级可能大家的直觉并不十分明确。让我们把这个能量和功率器件的开关损耗对比一下,首先以Infineon1700V1400AIGBT??槲?,当门极电阻为1Ω,负载电流为1400A时,IGBT的开关损耗为700mJ左右。同样的电流在100nH的母排上会存储98mJ的能量。而对于1200V300A??槔此?,当门极电阻为4Ω,负载电流为300A时,IGBT的开关损耗为35mJ左右,而此时母排会存储4.5mJ的能量??梢钥闯龆杂贗GBT来说,杂散电感的能量和IGBT每次开关损耗相比还是比较小的。

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图4infineonIGBT开关损耗

让我们再来看看SiC???,以Cree的1200V300ASiCMOSFET??槲?,在门极电阻为2.5Ω,负载电流为300A时,??榈目厮鸷奈?mJ左右。同样的电流在100nH的母排上会存储4.5mJ的能量,这个时候母排存储的能量都可以和器件的开关损耗相当了,因为sic器件的开关损耗确实要比si器件小很多。

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对杂散电感存储的磁场能量有了大致了解后,让我们看看这些能量在IGBT开关过程中是如何存储与释放的?首先看一下IGBT关断暂态过程,如图6所示:

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图6IGBT关断过程能量释放示意图

假设IGBTS1在t1时刻关断,t2时刻关断完成,这个暂态过程是杂散电感Lσ1能量释放的过程。从电压、电流方向上也可以理解该过程,关断瞬间Lσ1的电流方向是从左至右,电流的幅值迅速下降为0,产生的电压尖峰是左负右正。电压和电流的方向是相反的,因此功率是负的,所以是释放能量。释放的能量会叠加在器件的关断损耗上,最终以热的形式被耗散出去。当然,铜排的寄生电阻也会消耗一部分热量。

让我们再来看看开通过程,开通过程相对比较复杂,主要是因为存在二极管的反向恢复电流。我们根据电流的大小和方向将开通过程分为3个阶段:

①:t1-t2为电流的上升过程,该过程电流达到了负载电感电流;

②:t2-t3也是电流的上升过程,但这里面包含了二极管的反向恢复上升电流;

③:t3-t4为反向恢复电流的下降过程。

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图7IGBT开通过程能量存储与释放示意图

第1和第2阶段是杂散电感能量储存的过程,该过程电压和电流的方向相同,功率是正的,因此在吸收能量。对于这两个阶段,杂散电感上的电压会反向叠加在IGBT开通电压上,因此会有一个缺口,这样就减小了器件的开通损耗。第3阶段的尖峰会叠加在二极管的两端,这个过程比较复杂有的尖峰会超过母线电压,有的则会在二极管电压建立过程中产生一个小尖,这个主要与二极管的反向恢复特性相关。该过程杂散电感释放的能量相当于增加了一部分二极管的反向恢复损耗,但是这个能量很有限,因为铜排的电流只是从峰值电流降到了负载电流。因此从损耗的角度看杂散电感对IGBT的开通是有利的。

当然杂散电感对器件影响重点并没有体现在损耗上,主要还是开关电压尖峰。当由于外部原因(功率器件开通或关断)导致铜排上的电流“突变”时,就会在铜排两端产生电压尖峰,本质上是磁场能量的瞬间储存或释放造成的。当然,“突变”也是相对的,如果把时间轴放到到足够尺度,曲线局部也依然是平滑的,可导的。

为了让大家更直观地感受这100nH杂散电感给器件带来的影响。让我们再举几个例子,还是以上面的3个功率??槲?,对于Infineon1700V1400AIGBT计模来说,其关断电流的变化率为2800A/us,这个变化斜率会在100nH电感上产生280V的尖峰。对于1200300A???,电流的变化率为3000A/us,会产生300V的过压。

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图8InfineonIGBT??楣囟喜问?/p>

而对于Cree的1200V300ASiCMOSFET???,关断电流的变化率为7000A/us,在100nH的杂散电感上会产生700V的尖峰。

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图9Creesicmosfet关断参数

可以看出,对于基于Si器件IGBT的逆变器来说100nH的杂散电感是可以接受的,而对于基于SiC功率器件的逆变器这个电感就太大了。上面只是简单的计算,实际上IGBT或MOSFET的电流下降过程的斜率不是固定,一般在电流下降到中间的时候,变化率最大,这也是为什么器件关断电压是个尖峰,而不是平顶波的原因。
编辑:hfy

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NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成??椋≒IM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成??椋≒IM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个160A / 1200V半桥IGBT和二极管组成,两个中性点120A / 1200V整流器,两个100A / 600V中性点IGBT,带反向二极管,两个半桥60A / 600V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 600 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器??? 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 ? 148次 阅读
NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成??椋≒IM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

NXH80B120H2Q0 功率集成???双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成??椋≒IM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合??? 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 ? 70次 阅读
NXH80B120H2Q0 功率集成???双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

NXH450N65L4Q2 功率集成??椋≒IM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

N65L4Q2是功率集成???,包含I型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个225 A / 650 V外部IGBT,两个375 A / 650 V内部IGBT和两个375 A / 650 V中性线组成点二极管。反向二极管是150 A / 650 V器件。该??榘桓鯪TC热敏电阻。 特性 优势 现场停止4个650 V IGBT,具有快速开关性能和出色的VCE(SAT) 提高系统效率和简化热设计 焊针版本 应用 终端产品 DC-AC转换 分散式太阳能逆变器 - 1200V 不间断电源 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 ? 85次 阅读
NXH450N65L4Q2 功率集成??椋≒IM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二极管

NXH80T120L2Q0 功率集成??椋≒IM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

120L2Q0是功率集成???,包含一个T型中性点钳位(NPC)三电平逆变器,由两个80 A / 1200 V半桥IGBT组成,带有40 A / 1200 V半桥二极管和两个50 A / 600 V NPC IGBT,带有两个50 A / 600 V NPC二极管。??榛拱桓霭逶厝让舻缱?。 特性 优势 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 预先应用热界面材料(TIM)的选项预先应用的TIM 更简单的安装过程 使用压入销和焊针的选项 ??榘沧肮痰母惴貉≡? 应用 终端产品 太阳能逆变器 UPS逆变器 太阳能串逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 80次 阅读
NXH80T120L2Q0 功率集成??椋≒IM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

NXH100B120H3Q0 功率集成???双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成??椋≒IM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 68次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成???双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成??椋≒IM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

T120L2Q2F2SG是一款功率集成??椋≒IM),包含一个分离式T型中性点钳位三电平逆变器,由两个带反向二极管的160A / 1200V半桥IGBT,两个中性点120A / 1200V整流器组成,两个具有反向二极管的100A / 650V中性点IGBT,两个半桥60A / 650V整流器和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。 特性 优势 650 V IGBT规格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高效率 1200 V IGBT规格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切换具有低VCE(SAT)的IGBT以实现更高的效率 底板 热传播 可焊销 轻松安装 热敏电阻 温度检测 T型中性点钳位三电平逆变器??? 应用 终端产品 DC-AC阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 64次 阅读
NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成??椋≒IM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

FSBB15CH120DF 运动SPM

CH120DF是一款先进的Motion SPM ? 3???,为交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些??樽酆嫌呕四谥肐GBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带?;すδ?,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动??榈哪诓縄GBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和?;すδ? 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 157次 阅读
FSBB15CH120DF 运动SPM

FSBB15CH120D 运动SPM

CH120D是一款先进的MotionSPM?3???,用于交流感应,BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。 这些??樽酆嫌呕四谥肐GBT的栅极驱动,最大限度降低电磁辐射和损耗,同时提供多种自带?;すδ?,包括欠压闭锁,过流关断,驱动芯片热监控和故障报告。内置高速HVIC仅需要单电源电压并将收到的逻辑电平栅极输入信号转换为高电压,高电流驱动信号,从而有效驱动??榈哪诓縄GBT。独立负IGBT引脚适用于各相位,以支持最广泛的算法控制。 特性 UL认证号E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆变器,带积分栅驱动器和?;すδ? 低功耗,额定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基质实现极低热阻 专用Vs引脚能够简化PCB布局 低侧IGBT的独立发射极开路引脚用于三相电流检测 单相接地电源 LVIC内嵌温度感功能,用于监控温度 绝缘等级:2500 V rms /分 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 ? 100次 阅读
FSBB15CH120D 运动SPM

NXH80B120L2Q0 功率集成???双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

120L2Q0SG是一款功率???,包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个30A / 1200V硅二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器规格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切换的Si二极管 可焊接针 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + Si整流器??? 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 05:02 ? 97次 阅读
NXH80B120L2Q0 功率集成???双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压???/a>

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 ? 110次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压??? />    </a>
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NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM?2系列

65L4BT是一款PFCSPM?2???,为消费,医疗和工业应用提供全功能,高性能的交错式PFC(功率因数校正)输入功率级。这些??榧闪四谥肐GBT的优化栅极驱动,可最大限度地降低EMI和损耗,同时还提供多种??槟诒;すδ?,包括欠压锁定,过流关断,热监控和故障报告。这些??榛咕哂腥ㄕ髌骱透咝阅苁涑鯯iC二极管,可节省更多空间和安装便利性。 特性 650 V - 50 A 2阶段具有整体栅极驱动器和?;さ慕淮硎絇FC 使用Al2O3 DBC衬底的极低热阻 全波桥式整流器和高性能输出SiC升压二极管 用于温度监控的内置NTC热敏电阻 隔离评级:2500 Vrms / min 应用 终端产品 2相交错式PFC转换器 商用空调 工业电机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 ? 111次 阅读
NFL25065L4BT 用于2相交错式PFC的PFCSPM?2系列

NFCS1060L3TT 智能功率??椋↖PM) PFC组合 600V 10A

60L3TT是一个完全集成的PFC和逆变器功率级,包括一个高压驱动器,六个电机驱动IGBT,一个PFC SJMOSFET,一个用于整流器的PFC SiC-SBD和一个热敏电阻,适用于驱动永磁同步( PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为小腿提供独立的发射极连接,以便在选择控制算法时获得最大的灵活性。 特性 优势 在一个封装中采用PFC和逆变器级的简单散热设计。 保存PCB面积并简化装配流程 交叉传导?;? 避免手臂短路输入信号不足 集成自举二极管和电阻器 保存PCB面积 应用 终端产品 电机驱动??? 电机控制系统 工业/通用控制系统HVAC 工业风扇电机 泵 洗衣机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 04:02 ? 74次 阅读
NFCS1060L3TT 智能功率??椋↖PM) PFC组合 600V 10A

NFAP1060L3TT 智能功率??椋↖PM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

60L3TT是一个完全集成的逆变器功率级,由高压驱动器,六个IGBT和一个热敏电阻组成,适用于驱动永磁同步(PMSM)电机,无刷直流(BLDC)电机和交流异步电机。 IGBT采用三相桥式配置,为低支路提供独立的发射极连接,在控制算法选择方面具有最大的灵活性。功率级具有全面的?;すδ?,包括跨导?;?,外部关断和欠压锁定功能。连接到过流?;さ缏返哪诓勘冉掀骱筒慰嫉缪乖市砩杓迫嗽鄙柚霉鞅;さ缙?。 特性 紧凑型44mm x 20.9mm单列直插式封装 内置欠压?;? 交叉传导?;? 集成自举二极管和电阻器 应用 终端产品 工业驱动器 泵 粉丝 Automationas 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 03:02 ? 75次 阅读
NFAP1060L3TT 智能功率??椋↖PM) 600 V 10 A 带有先进的SIP封装

NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

4是一款高压功率栅极驱动器,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个具有交叉传导?;さ亩懒⑹淙?。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 最多输入引脚上的Vcc摆动 两个通道之间的匹配传播延迟 带输入的阶段输出 具有100ns内部固定死区时间的交叉传导?;? 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 ? 178次 阅读
NCP5304 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入

NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

1是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。 特性 高压范围:高达600V dV / dt抗扰度±50 V / ns 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆幅 两个频道之间的匹配传播延迟 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns) 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下 引脚与引脚兼容行业标准 应用 半桥电源转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 ? 115次 阅读
NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

MC33153 单IGBT驱动器

3专门设计用作高功率应用的IGBT驱动器,包括交流感应电机控制,无刷直流电机控制和不间断电源。虽然设计用于驱动分立和??镮GBT,但该器件为驱动功率MOSFET和双极晶体管提供了经济高效的解决方案。器件?;すδ馨ㄑ≡袢ケズ突蚬骷觳夂颓费辜觳?。这些器件采用双列直插和表面贴装封装,包括以下特性: 特性 高电流输出级:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常规和感测IGBT的?;さ缏? 可编程故障消隐时间 防止过电流和短路 针对IGBT优化的欠压锁定 负栅极驱动能力 成本有效地驱动功率MOSFET和双极晶体管 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 01:02 ? 597次 阅读
MC33153 单IGBT驱动器

NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

6是一款高压栅极驱动器IC,提供两路输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT,采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自举技术确保正确驱动高端电源开关。驱动程序使用2个独立输入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高压范围:最高600 V dV / dt抗扰度±50 V / nsec 栅极驱动电源范围为10 V至20 V 高低驱动输出 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V输入逻辑 输入引脚上的Vcc摆动 匹配传播两个渠道之间的延迟 输入阶段的输出 适应所有拓扑的独立逻辑输入(版本A) 交叉传导?;せ莌 100 ns内部固定死区时间(版本B) 在两个通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin与行业标准兼容 应用 半桥电源转换器 任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)(仅限A型)。 全桥转换器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 ? 320次 阅读
NCP5106 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧

FL73282 半桥栅极驱动器

2是一款单片半桥栅极驱动器IC,可驱动工作电压高达+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高dV / dt噪声环境下稳定运行。先进的电平转换电路,可使高侧栅极驱动器的工作电压在V BS = 15 V时达到V S = - 9.8 V(典型值)。当V CC 或V BS 低于指定阈值电压时,两个通道UVLO电路可防止发生故障。输出驱动器的源电流/灌电流典型值分别为350 mA / 650 mA,适用于各种半桥和全桥逆变器。 特性 浮动通道可实现高达+900 V的自举运行 两个通道的源/灌电流驱动能力典型值为350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪声消除电路 容许扩展负V S 摆幅至-9.8 V,以实现V CC = V BS = 15 V时的信号传输 10 V至20 V的V CC 和V BS 供电范围 双通道的欠压锁定功能 匹配传播延迟低于50 ns 内置170 ns死区时间 输出与输入信号同相 应用 照明 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 00:02 ? 495次 阅读
FL73282 半桥栅极驱动器

NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

3系列是一组高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于中高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器和其他汽车等汽车应用电源。通过消除许多外部组件,这些器件提供了经济高效的解决方案。器件?;すδ馨ˋctive Miller Clamp(用于NCV5703A),精确的UVLO,DESAT?;ず吐┘饭收鲜涑?。这些驱动器还具有精确的5.0 V输出(适用于所有版本)和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出(仅适用于NCV5703C),便于系统设计。这些驱动器设计用于容纳宽电压范围的单极性偏置电源(以及NCV5703B的双极性偏置电源)。所有版本均采用8引脚SOIC封装,符合AEC-Q100标准。 特性 优势 IGBT米勒平台电压下的高电流输出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低开关损耗并缩短切换时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 可编程延迟的DESAT?;? 增强的可编程?;? 活动密勒钳(仅限NCV5703A) 防止假门开启 应用 终端产品 DC-交流变频器 电池充电器 汽车PTC加热器 驱动程序 电机控制 电动汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 ? 131次 阅读
NCV5703 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式

2是一款高电流,高性能独立式IGBT驱动器,具有非反相输入逻辑,适用于高功率应用,包括PTC加热器,EV充电器,动力总成逆变器和其他汽车电源等汽车应用。该器件通过消除许多外部元件提供了经济高效的解决方案。器件?;すδ馨ㄓ性疵桌涨?,精确的UVLO,EN输入,DESAT?;ず吐┘饭收鲜涑?。该驱动器还具有精确的5.0 V输出和独立的高低(VOH和VOL)驱动器输出,便于系统设计。该驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性电压。它采用16引脚SOIC封装。符合AEC-Q100标准。 特性 优势 降低开关损耗和缩短开关时间 低VOH和VOL 完全增强IGBT 活动密勒钳 防止伪门开启 可编程延迟的DESAT?;? 增强的可编程?;? 应用 终端产品 DC-AC逆变器 电池充电器 汽车PTC加热器 板载充电器 xEV充电器 汽车动力总成逆变器 牵引逆变器 电动汽车 EV充电器 牵引 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 22:02 ? 126次 阅读
NCV5702 IGBT栅极驱动器 大电流 独立式
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